买卖IC网 >> 产品目录43241 >> IPD60R520CP MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252 datasheet 分离式半导体产品
型号:

IPD60R520CP

库存数量:5,000
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IPD60R520CP PDF下载
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 520 毫欧 @ 3.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 630pF @ 100V
功率 - 最大 66W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 IPD60R520CPDKR
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
深圳市琦凌凯科技有限公司 13316482149 彭先生
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无锡固电半导体股份有限公司 15961889150 刘小姐
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645
深圳市升发继电器贸易有限公司 0754-84453743 苏先生
刘学 刘先生
中山市帝能电子有限公司 18125213061 苏霞旋
  • IPD60R520CP 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 2.88 2.88
    10 2.4732 24.732
    25 2.22624 55.656
    100 2.02008 202.008
    250 1.813968 453.492
    500 1.5666 783.3
    1,000 1.319232 1319.232